层转移技术已经被广泛探索用于半导体器件制造，作为降低成本和形成异质集成器件的途径，这些技术需要将外延层与昂贵的供体晶片隔离，以形成独立的膜。然而，目前的层转移工艺仍然是低产量的并且过于昂贵而不适合商业应用。鉴于此，来自麻省理工学院电子研究实验室的Jeehwan Kim等人报道了一种高通量层转移技术，该技术可以从单个晶片生产多个化合物半导体膜。文章要点：1) 该研究通过使用外延工具在III–N和III–V衬底上直接生长二维（2D）材料，这实现了一种由2D材料和外延层的多个交替层组成的方案，这些层可以通过一次生长过程形成，紧接着，通过逐层机械剥离可收获多层结构中的每个外延层，从单个晶片生产多个独立的膜，而不需要耗时的工艺，如牺牲层蚀刻或晶片抛光；2) 此外，研究通过在2D界面处的原子精确剥离实现了对晶片的回收，从而用于随后的膜生产，也就大大地降低制造成本的潜力。参考资料：Kim, H., Liu, Y., Lu, K. et al. High-throughput manufacturing of epitaxial membranes from a single wafer by 2D materials-based layer transfer process. Nat. Nanotechnol. (2023). DOI: 10.1038/s41565-023-01340-3https://doi.org/10.1038/s41565-023-01340-3